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2000년
eng
semiconductor ; CAS ; microtechnologies ; IMT
학술저널
INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CONFERENCE
527-530 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
0780358856
International semiconductor conference
23rd
Sinaia, Romania
2000; Oct
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CHALCOGENIDE SEMICONDUCTOR BASED SENSOR FOR FAST NO~2 DETECTION
OPTIMIZATION OF InGaAs/InP P-I-N PHOTODIODE FOR DUAL AXIS POSITION DETECTION SYSTEMS
USING SPECTROELLIPSOMETRY TO EXAMINE MULTILAYER GRATINGS FOR SENSORS AND PHOTODETECTORS