RISS 학술연구정보서비스

검색
다국어 입력

http://chineseinput.net/에서 pinyin(병음)방식으로 중국어를 변환할 수 있습니다.

변환된 중국어를 복사하여 사용하시면 됩니다.

예시)
  • 中文 을 입력하시려면 zhongwen을 입력하시고 space를누르시면됩니다.
  • 北京 을 입력하시려면 beijing을 입력하시고 space를 누르시면 됩니다.
닫기
    인기검색어 순위 펼치기

    RISS 인기검색어

      KCI등재

      엘리베이터 시스템을 위한 SiC 권상기 드라이브 = SiC Motor Drive for Elevator System

      한글로보기

      https://www.riss.kr/link?id=A106245068

      • 0

        상세조회
      • 0

        다운로드
      서지정보 열기
      • 내보내기
      • 내책장담기
      • 공유하기
      • 오류접수

      부가정보

      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      With the recent emphasis on the importance of energy conservation, studies on high-efficiency elevator systems are being continuously conducted. Therefore, pulse width modulation converters are commonly used in traction drives on elevator systems. Wid...

      With the recent emphasis on the importance of energy conservation, studies on high-efficiency elevator systems are being continuously conducted. Therefore, pulse width modulation converters are commonly used in traction drives on elevator systems. Wide bandgap devices have been increasingly commercialized, and their application to power conversion systems, such as renewable and energy storage system, has been gradually increasing. In this study, a SiC inverter for an elevator traction drive is investigated. In particular, an inverter is designed to minimize stray and parasitic inductance. Input and output filters are designed by considering switching frequency. The designed SiC inverter reduces volume by approximately 32% compared with that of a Si inverter, and power converter efficiency is over 98.8%.

      더보기

      참고문헌 (Reference)

      1 박선재, "에너지 저장장치를 포함하는 신재생에너지원용 부스트 컨버터의 인덕터 기생저항에 따른 제어기 설계 영향 분석" 전력전자학회 16 (16): 511-520, 2011

      2 N. K. Kim, "[Special Issue : Power Semiconductor Devices and Applications] Silicon Carbide(SiC)Power Semiconductor Status" 9 (9): 27-31, 2004

      3 H. Zaman, "Suppression of switching crosstalk and voltage oscillations in a SiC MOSFET based half-bridge converter" 11 (11): 3111-, 2018

      4 V. Nguyen, "Single-phase resonant inverter using SiC power modules for a compact high-voltage capacitive coupled plasma power supply" 85-86, 2014

      5 R. Rupp, "SiC power semiconductor technology and product trend" 14 (14): 34-39, 2009

      6 I. H. Kang, "SiC power semiconductor device technology trend" 16 (16): 7-16, 2013

      7 T. P. Chow, "SiC power devices" 2011

      8 F. Wang, "Overview of silicon carbide technology : Device, converter, system, and application" 1 (1): 13-32, 2016

      9 A. Barkley, "New 1000V SiC MOSFETs enable improved efficiency, density, and cost tradeoff space for PFCs" 2165-2172, 2017

      10 J. Lee, "High-efficiency PV inverter using SiC" 5-6, 2011

      1 박선재, "에너지 저장장치를 포함하는 신재생에너지원용 부스트 컨버터의 인덕터 기생저항에 따른 제어기 설계 영향 분석" 전력전자학회 16 (16): 511-520, 2011

      2 N. K. Kim, "[Special Issue : Power Semiconductor Devices and Applications] Silicon Carbide(SiC)Power Semiconductor Status" 9 (9): 27-31, 2004

      3 H. Zaman, "Suppression of switching crosstalk and voltage oscillations in a SiC MOSFET based half-bridge converter" 11 (11): 3111-, 2018

      4 V. Nguyen, "Single-phase resonant inverter using SiC power modules for a compact high-voltage capacitive coupled plasma power supply" 85-86, 2014

      5 R. Rupp, "SiC power semiconductor technology and product trend" 14 (14): 34-39, 2009

      6 I. H. Kang, "SiC power semiconductor device technology trend" 16 (16): 7-16, 2013

      7 T. P. Chow, "SiC power devices" 2011

      8 F. Wang, "Overview of silicon carbide technology : Device, converter, system, and application" 1 (1): 13-32, 2016

      9 A. Barkley, "New 1000V SiC MOSFETs enable improved efficiency, density, and cost tradeoff space for PFCs" 2165-2172, 2017

      10 J. Lee, "High-efficiency PV inverter using SiC" 5-6, 2011

      11 H. Ryu, "Development of high-speed elevator drive system using permanent-magnet synchronous motor" 385-388, 2001

      12 S. Tiwari, "Design of low inductive busbar for fast switching SiC modules verified by 3D FEM calculations and laboratory measurements" 1-8, 2016

      13 C. Inc, "Design considerations for designing with cree SiC modules part 2. Techniques for minimizing parasitic inductance" Appl. notes by Cree Inc 1-17, 2015

      14 C. Inc, "Design considerations for designing with cree SiC modules part 1. Understanding the effects of parasitic inductance" Appl. notes by Cree Inc 1-17, 2015

      15 B. Ozpineci, "Comparison of wide bandgap semiconductors for power applications" 1-7, 2003

      16 J. S. Yu, "A study on the speed control of PMSM for elevator drive" 461-466, 2003

      17 H. J. Ahn, "A study on the grid-connected three-phase PWM inverter using MATLAB/simulin" 558-559, 2010

      18 N. J. Ku, "A novel switching loss minimized PWM method for a high switching frequency three-level inverter with a SiC clamp diode" 3702-3707, 2011

      더보기

      동일학술지(권/호) 다른 논문

      분석정보

      View

      상세정보조회

      0

      Usage

      원문다운로드

      0

      대출신청

      0

      복사신청

      0

      EDDS신청

      0

      동일 주제 내 활용도 TOP

      더보기

      주제

      연도별 연구동향

      연도별 활용동향

      연관논문

      연구자 네트워크맵

      공동연구자 (7)

      유사연구자 (20) 활용도상위20명

      인용정보 인용지수 설명보기

      학술지 이력

      학술지 이력
      연월일 이력구분 이력상세 등재구분
      2027 평가예정 재인증평가 신청대상 (재인증)
      2021-01-01 평가 등재학술지 유지 (재인증) KCI등재
      2018-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2005-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2002-07-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2000-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
      더보기

      학술지 인용정보

      학술지 인용정보
      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.17 0.17 0.2
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.21 0.23 0.361 0.06
      더보기

      이 자료와 함께 이용한 RISS 자료

      나만을 위한 추천자료

      해외이동버튼