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Characterization of Recessed-Gate AlGaN/GaN HEMTs as a Function of Etch Depth
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Au-Doped Indium Tin Oxide Ohmic Contacts to p-Type GaN
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Physical Properties of AlGaN/GaN Heterostructures Grown on Vicinal Substrates
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Spatial Localization of Carrier Traps in 4H-SiC MOSFET Devices Using Thermally Stimulated Current
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