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Piezoelectric Polarization in the Radiative Centers of GaInN/GaN Quantum Wells and Devices
Wetzel, C. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.252-255
Cao, X. A. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.256-261
The Properties of Annealed AlN Films Deposited by Pulsed Laser Deposition
Jones, K. A. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.262-267
Tang, H. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.268-273
Local Electronic Properties of AlGaN/GaN Heterostructures Probed by Scanning Capacitance Microscopy
Smith, K. V. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.274-280
Dielectric and Lattice-Dynamical Properties of III-Nitrides
Grossner, U. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.281-284
Dry Etch Selectivity of Gd~2O~3 to GaN and AlN
Hayes, D. O. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.285-290
Thermally Induced Variation in Barrier Height and Ideality Factor of Ni/Au Contacts to p-GaN
Hibbard, D. L. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.291-296
Investigation of Flicker Noise and Deep-Levels in GaN/AlGaN Transistors
Balandin, A. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.297-301
Nitride-Based Laser Diodes Using Thick n-AlGaN Layers
Takeuchi, T. The Minerals, Metals and Materials Society; 1999 2000 p.302-305
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