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      ZnO 酸化物半導體를 利用한 紫外線 光센서에 관한 硏究 = Photoresponsivity of ZnO schottky barrier diodes

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      https://www.riss.kr/link?id=A103328639

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      국문 초록 (Abstract)

      分子線에피택시法으로 成長한 ZnO 酸化物半導體를 利用하여 製作한 쇼트키배리어 다이오드에 대하여 紫外線 光센서로서의 光特性을 調査한다. 첫째, 白色光 照射時 飽和電流値가 100倍 以上...

      分子線에피택시法으로 成長한 ZnO 酸化物半導體를 利用하여 製作한 쇼트키배리어 다이오드에 대하여 紫外線 光센서로서의 光特性을 調査한다. 첫째, 白色光 照射時 飽和電流値가 100倍 以上 增加하는 光여기 特性을 나타낸다. 둘째, 照射하는 빛의 波長에 대하 390nm의 遮斷長波長을 갖으며 195nm 以上의 밴드폭을 갖는 波長感度特性을 나타낸다. 셋째, 紫外線에 대해 0.36msec의 時定數 갖는 것으로 評價된다. 따라서, ZnO 酸化物半導體는 向後 紫外線 光센서소자의 材科로서 期待되어진다.

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