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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      Fermi Level Position from the Graphene - Molybdenum Disulfide(MoS₂) Heterojunction Barristor with aminopropyltriethoxysilane(APTES)

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      https://www.riss.kr/link?id=A107408952

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      Recently, in order to resolve the low on/off current ratio that is a weak point of graphene devices, graphene-based heterojunction barristors were proposed. These barristors are based on heterojunctions with transition metal dichalcogenides(TMDs) materials such as hexagonal boron nitride (h-BN), indium gallium zinc oxide (IGZO), molybdenum disulfide (MoS<sub>2</sub>), tungsten diselenide (WSe<sub>2</sub>), molybdenum diselenide (MoSe<sub>2</sub>), tungsten disulfide (WS<sub>2</sub>), and pentacene.
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      Recently, in order to resolve the low on/off current ratio that is a weak point of graphene devices, graphene-based heterojunction barristors were proposed. These barristors are based on heterojunctions with transition metal dichalcogenides(TMDs) mate...

      Recently, in order to resolve the low on/off current ratio that is a weak point of graphene devices, graphene-based heterojunction barristors were proposed. These barristors are based on heterojunctions with transition metal dichalcogenides(TMDs) materials such as hexagonal boron nitride (h-BN), indium gallium zinc oxide (IGZO), molybdenum disulfide (MoS<sub>2</sub>), tungsten diselenide (WSe<sub>2</sub>), molybdenum diselenide (MoSe<sub>2</sub>), tungsten disulfide (WS<sub>2</sub>), and pentacene.

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