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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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§ ※ ☆ ★ ○ ● ◎ ◇ ◆ □ ■ △ ▽ → ← ↑ ↓ ↔ 〓 ◁ ◀ ▷ ▶ ♤ ♠ ♡ ♥ ♧ ♣ ⊙ ◈ ▣ ◐ ◑ ▒ ▤ ▥ ▨ ▧ ▦ ▩ ♨ ☏ ☎ ☜ ☞ † ‡ ↕ ↗ ↙ ↖ ↘ ♭ ♩ ♪ ♬ ㉿ ㈜ № ㏇ ™ ㏂ ㏘ ℡ ＃ ＆ ＊ ＠ ª º
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      The preparation of indium tin oxide films as a function of oxygen gas flow rate by a facing target sputtering system

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      https://www.riss.kr/link?id=A104545583

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Indium tin oxide (ITO) thin films for use as cathode electrodes in top-emitting organic light-emitting diodes (TOLEDs) were prepared by a facing targets sputtering (FTS) system under different sputtering conditions, which were varying oxygen gas flow ...

      Indium tin oxide (ITO) thin films for use as cathode electrodes in top-emitting organic light-emitting diodes (TOLEDs) were
      prepared by a facing targets sputtering (FTS) system under different sputtering conditions, which were varying oxygen gas
      flow rate, input current at room temperature on glass slide substrates. Then a function of sputtering conditions, the electrical
      and optical properties of prepared ITO thin films was evaluated. In the results, with increasing oxygen gas flow rate 0.1 sccm
      to 0.7 sccm, resistivities of ITO thin films increased with a decrease in carrier concentration, with an oxygen gas flow rate
      above 0.3 sccm. Transmittance of prepared ITO thin films was improved at increasing oxygen gas flow rate 0.1 sccm to 0.7
      sccm. And transmittance of all of the prepared ITO thin films was over 80%. We could obtain resistivity 6.19×10−4 Ω·cm,
      carrier mobility 22.9 cm2/Vs, carrier concentration 4.41×1020 cm−3 and transmittance over 80% of ITO thin film prepared at
      working pressure 133 mPa, input current 0.4A without any substrate heating.

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      Indium tin oxide (ITO) thin films for use as cathode electrodes in top-emitting organic light-emitting diodes (TOLEDs) were prepared by a facing targets sputtering (FTS) system under different sputtering conditions, which were varying oxygen gas flo...

      Indium tin oxide (ITO) thin films for use as cathode electrodes in top-emitting organic light-emitting diodes (TOLEDs) were
      prepared by a facing targets sputtering (FTS) system under different sputtering conditions, which were varying oxygen gas
      flow rate, input current at room temperature on glass slide substrates. Then a function of sputtering conditions, the electrical
      and optical properties of prepared ITO thin films was evaluated. In the results, with increasing oxygen gas flow rate 0.1 sccm
      to 0.7 sccm, resistivities of ITO thin films increased with a decrease in carrier concentration, with an oxygen gas flow rate
      above 0.3 sccm. Transmittance of prepared ITO thin films was improved at increasing oxygen gas flow rate 0.1 sccm to 0.7
      sccm. And transmittance of all of the prepared ITO thin films was over 80%. We could obtain resistivity 6.19×10−4 Ω·cm,
      carrier mobility 22.9 cm2/Vs, carrier concentration 4.41×1020 cm−3 and transmittance over 80% of ITO thin film prepared at
      working pressure 133 mPa, input current 0.4A without any substrate heating.

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      2022-10-24 학회명변경 한글명 : 세라믹연구소 -> 청정에너지연구소
      영문명 : Ceramic Research Institute -> Clean-Energy Research Institute      		 KCI등재
      2020-01-01 평가 등재학술지 유지 (해외등재 학술지 평가) KCI등재
      2019-08-19 학회명변경 한글명 : 세라믹공정연구센터 -> 세라믹연구소
      영문명 : Ceramic Processing Research Center -> Ceramic Research Institute      		 KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2006-01-01 평가 SCI 등재 (등재후보1차) KCI등재
      2003-01-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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