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Gang Zhang, Chang Ho Ra,Hua-Min Li,Tian-zi Shen,Byung-ki Cheong,Won Jong Yoo IEEE 2010 p.2794-2800
Dopant-Segregated Schottky Source/Drain FinFET With a NiSi FUSI Gate and Reduced Leakage Current
Sung-Jin Choi, Jin-Woo Han,Sungho Kim,Dong-Il Moon,Moongyu Jang,Yang-Kyu Choi IEEE 2010 p.2902-2906
Subgap Density-of-States-Based Amorphous Oxide Thin Film Transistor Simulator (DeAOTS)
Yong Woo Jeon, Sungchul Kim,Sangwon Lee,Dong Myong Kim,Dae Hwan Kim,Jaechul Park,Chang Jung Kim,Ihun Song,Youngsoo Park,U-In Chung,Je-Hun Lee,Byung Du Ahn,Sei Yong Park,Jun-Hyun Park,Joo Han Kim IEEE 2010 p.2988-3000
Hai-Jung In, Kyong-Hwan Oh,Inhwan Lee,Do-Hyung Ryu,Sang-Moo Choi,Keum-Nam Kim,Hye-Dong Kim,Oh-Kyong Kwon IEEE 2010 p.3012-3019
Soo-Kwan Jang, Choon-Sang Park,Heung-Sik Tae,Bhum Jae Shin,Jeong Hyun Seo IEEE 2010 p.3123-3130
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.