본 논문에서는 광량 변화에 따른 저전력 작은 면적을 가지는 포토플래시 용 펄스폭 변조기를 제안한다. 광량 제어 회로는 정전용량, 포토다이오드, 그리고 비교기로 꾸밀 수 있다. 제안된 펄...
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2008
Korean
KCI등재
학술저널
17-22(6쪽)
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본 논문에서는 광량 변화에 따른 저전력 작은 면적을 가지는 포토플래시 용 펄스폭 변조기를 제안한다. 광량 제어 회로는 정전용량, 포토다이오드, 그리고 비교기로 꾸밀 수 있다. 제안된 펄...
본 논문에서는 광량 변화에 따른 저전력 작은 면적을 가지는 포토플래시 용 펄스폭 변조기를 제안한다. 광량 제어 회로는 정전용량, 포토다이오드, 그리고 비교기로 꾸밀 수 있다. 제안된 펄스폭 변조기는 대기 전력 소모를 줄이기 위해서 비교기를 제외한 모든 부분을 디지털회로로 설계하였다. 그리고 IGBT 드라이버는 지연 소자를 사용하여 단락 방지 회로를 추가하였다. 제안된 펄스폭 변조기는 0.5V ~ 2.5V의 변조 신호 전압의 범위와 300㎐ 동작 속도에서 0.14㎳ ~ 1.65㎳의 펄스폭 변조 범위를 가진다. 제안된 펄스폭 변조기는 0.35㎛ CMOS 공정으로 제작되었으며, 0.85㎜ x 0.56㎜의 면적을 가진다. 제안된 회로는 300㎐ 그리고 3.0V에서 3.0㎽의 전력을 소모한다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
This paper presents a low-power and small-area pulse width modulator by light intensity for photoflash. Light intensity controller is achieved by using capacitor, photodiode, and comparator. The proposed circuit designs digital circuit to reduce stati...
This paper presents a low-power and small-area pulse width modulator by light intensity for photoflash. Light intensity controller is achieved by using capacitor, photodiode, and comparator. The proposed circuit designs digital circuit to reduce static power consumption except comparator. And IGBT driver has short circuit protection using delay cell. The pulse width modulator has the operating range of VMS from 0.5V to 2.5V and pulse width of output from 0.14㎳ to 1.65㎳ at 300㎐. The pulse width modulator fabricated in 0.35-㎛ CMOS technology occupies 0.85㎜ x 0.56㎜. This circuit consumes 3.0㎽ at 300㎐ and 3.0V.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 A. D. Pathak, "Unique MOSFET/IGBT Drivers and Their Applications in Future Power Electronic Systems" 85-88, 2003
2 J. Salmon, "Comparison of current controllers that use internal feedback of the controller pwm signals to produce a pwm-cycle zero average current-error" 2012-2018, 2005
3 A. Perez, "An IGBT gate driver integrated circuit with full-bridge output stage and short circuit protections" 245-248, 2003
4 K.M. Smith, "A new pwm controller with onecycle response" 14 (14): 142-150, 1999
5 S. Buso, "A dead-beat adaptive hysteresis current control" 36 (36): 1174-1180, 2000
1 A. D. Pathak, "Unique MOSFET/IGBT Drivers and Their Applications in Future Power Electronic Systems" 85-88, 2003
2 J. Salmon, "Comparison of current controllers that use internal feedback of the controller pwm signals to produce a pwm-cycle zero average current-error" 2012-2018, 2005
3 A. Perez, "An IGBT gate driver integrated circuit with full-bridge output stage and short circuit protections" 245-248, 2003
4 K.M. Smith, "A new pwm controller with onecycle response" 14 (14): 142-150, 1999
5 S. Buso, "A dead-beat adaptive hysteresis current control" 36 (36): 1174-1180, 2000
Short-gate SOI MESFET의 문턱 전압 표현 식 도출을 위한 해석적 모델
MOSFET 게이트 산화막내 결함 생성 억제를 위한 효과적인 중수소 이온 주입
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
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2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) |