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      Improved Dielectric Properties of BaTiO3-Added CaCu3Ti4O12 Polycrystalline Ceramics

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      The effects of the BaTiO3 (BTO) additive on the electrical properties of CaCu3Ti4O12 (CCTO) polycrystalline ceramics were systematically investigated. Various amounts of BTO powder up to 15 mol. % were added to CCTO powder. Each batch was ball-milled,...

      The effects of the BaTiO3 (BTO) additive on the electrical properties of CaCu3Ti4O12 (CCTO) polycrystalline ceramics were systematically investigated. Various amounts of BTO powder up to 15 mol. % were added to CCTO powder. Each batch was ball-milled, pressed into pellets, and finally sintered at 1060°C for 12 h in air. Compared with pure CCTO sample (εr ~ 52,000 and tan δ ~ 0.38 at 100 kHz), BTO-added CCTO samples commonly showed significantly reduced dielectric losses although their dielectric constants were decreased approximately by one order of magnitude (for instance, εr ~ 4,075 and tan δ ~ 0.02 at 100 kHz for 5 mol. % BTO-added CCTO sample). In addition, the breakdown voltages of BTO-added CCTO samples were much higher than that of pure CCTO sample, and thus the leakage currents were greatly reduced at the applied voltage above ~ 10 V. A large reduction in the dielectric losses and leakage currents is attributed to the secondary phases segregated at the CCTO grain boundary which are composed of CaTiO3, Ba4Ti12O27,and unreacted BTO.

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      참고문헌 (Reference)

      1 M. A. Ramirez, 41 : 152004-, 2008

      2 H. Yu, 62 : 1353-, 2008

      3 Y. Nosaka, 10 : 406-, 1991

      4 N. D. S. Mchallem, 121 : 515-, 1988

      5 M. Boulos, 176 : 1301-, 2005

      6 H. Xu, 86 : 203-, 2003

      7 V. Vinothini, 32 : 99-, 2006

      8 P. Duran, 28 : 283-, 2002

      9 V. Buscaglia, 148 : 24-, 2004

      10 H. Chazono, 40 : 5624-, 2001

      1 M. A. Ramirez, 41 : 152004-, 2008

      2 H. Yu, 62 : 1353-, 2008

      3 Y. Nosaka, 10 : 406-, 1991

      4 N. D. S. Mchallem, 121 : 515-, 1988

      5 M. Boulos, 176 : 1301-, 2005

      6 H. Xu, 86 : 203-, 2003

      7 V. Vinothini, 32 : 99-, 2006

      8 P. Duran, 28 : 283-, 2002

      9 V. Buscaglia, 148 : 24-, 2004

      10 H. Chazono, 40 : 5624-, 2001

      11 N. J. Phillips, 147 : 285-, 1992

      12 M. A. Subramanian, 151 : 323-, 2000

      13 C. C. Homes, 293 : 673-, 2001

      14 A. P. Ramirez, 115 : 217-, 2000

      15 G. Deng, 105 : 084106-, 2009

      16 D. C. Sinclair, 80 : 2153-, 2002

      17 M. Li, 88 : 232903-, 2006

      18 S. Kwon, 87 : 182911-, 2006

      19 K. M. Kim, 27 : 3991-, 2007

      20 S. F. Shao, 142 : 281-, 2007

      21 S. Y. Lee, 3 : 23-, 2007

      22 H. Yu, 208 : 145-, 2008

      23 L. J. Liu, 43 : 1800-, 2008

      24 P. B. A. Fechine, 96 : 402-, 2006

      25 G. Yang, 368 : 62-, 2008

      26 L. Ramajo, 497 : 349-, 2010

      27 Jungdae Kim, "Selective Substitution and Tetragonality by Co-doping of Dysprosium and Thulium on Dielectric Properties of Barium Titanate Ceramics" 대한금속·재료학회 7 (7): 155-159, 2011

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