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국문 초록 (Abstract)

RF-MW 혼합프로세스를 사용하여 다이아몬드 막을 만들 때, 우선 RF 플라즈마CVD법으로 실리콘 기판 위에 다이아몬드 시드를 증착시키고, 그 시드로부터 MW 플라즈마CVD법에 의해 다이아몬드 막...

RF-MW 혼합프로세스를 사용하여 다이아몬드 막을 만들 때, 우선 RF 플라즈마CVD법으로 실리콘 기판 위에 다이아몬드 시드를 증착시키고, 그 시드로부터 MW 플라즈마CVD법에 의해 다이아몬드 막을 성장시켰다. RF-MW 혼합프로세스를 사용하여 성장된 다이아몬드 막은 MW 프로세스만으로 성장된 막에 비해 결정입계의 크기는 작고, 조밀해졌으며, 결정성 또한 더 좋아졌다. 성장된 다이아몬드 막은 전자현미경, X-선 회절기, Raman분광기 등으로 분석하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In case of making the diamond films by using RF-MW mix-process, at first. diamond seeds were deposited on silicon substrate by RF plasma CVD, and then diamond layer grown by MW plasma CVD from the seeds. The grain-size of diamond films deposited by using RF-MW mix-process was smaller and denser, in addition, crystallity of diamond films was better than MW plasma CVD process. The deposited diamond films were analyzed by SEM, XRD, and Raman spectroscopy.