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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      KCI등재

      Hydro Dynamic Model을 이용한 CMOS의 파괴특성의 Transient Simulation해석

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      https://www.riss.kr/link?id=A45014757

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In present much CMOS devices used in VLSI circuit and Logic circuit. With increasing a number of device in VLSI, the confidence becomes more serious. This paper describe the mechanism of breakdown on CMOS, especially n-MOS, based on Hydro Dynamic mode...

      In present much CMOS devices used in VLSI circuit and Logic circuit. With increasing a number of device in VLSI, the confidence becomes more serious. This paper describe the mechanism of breakdown on CMOS, especially n-MOS, based on Hydro Dynamic model with device self-heating. Additionally, illustrate the CMOS latch-up characteristics on simplified device structure on this paper.<br/>

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      목차 (Table of Contents)

      • Absract
      • 1. 서론
      • 2. 해석 결과
      • 3. 결론
      • 참고문헌
      • Absract
      • 1. 서론
      • 2. 해석 결과
      • 3. 결론
      • 참고문헌
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