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서울 : 서울대학교 대학원, 2009
2009
영어
게르마늄 ; 이단계 성장법 ; 초고진공 화학기상증착법 ; 저온 ; Ge ; UHV-CVD ; two-step growth ; low temperature
620.1 판사항(20)
서울
47 leaves : ill. ; 26cm.
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