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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

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Large scale metal-free synthesis of graphene on sapphire and transfer-free device fabrication

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https://www.riss.kr/link?id=A107758676

저자

Song, Hyun Jae ; Son, Minhyeok ; Park, Chibeom ; Lim, Hyunseob ; Levendorf, Mark P. ; Tsen, Adam W. ; Park, Jiwoong ; Choi, Hee Cheul
발행기관
The Royal Society of Chemistry
학술지명
Nanoscale
권호사항

Vol.4 No.10 [2012]
발행연도
2012
작성언어
-
등재정보
SCOPUS,SCIE
자료형태
학술저널
수록면

3050
제공처
ScienceON

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다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Metal catalyst-free growth of large scale single layer graphene film on a sapphire substrate by a chemical vapor deposition (CVD) process at 950 °C is demonstrated. A top-gated graphene field effect transistor (FET) device is successfully fabricated without any transfer process. The detailed growth process is investigated by the atomic force microscopy (AFM) studies.

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Metal catalyst-free growth of large scale single layer graphene film on a sapphire substrate by a chemical vapor deposition (CVD) process at 950 °C is demonstrated. A top-gated graphene field effect transistor (FET) device is successfull...

Metal catalyst-free growth of large scale single layer graphene film on a sapphire substrate by a chemical vapor deposition (CVD) process at 950 °C is demonstrated. A top-gated graphene field effect transistor (FET) device is successfully fabricated without any transfer process. The detailed growth process is investigated by the atomic force microscopy (AFM) studies.