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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      SCOPUS KCI등재

      불순물 농도에 따른 산화막 성장률의 차이를 이용한 자기 정렬된 금속 게이트 MOSFET 구조

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      https://www.riss.kr/link?id=A76612729

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      목차 (Table of Contents)

      • ABSTRACT
      • 1. 서론
      • 2. 산화막 성장률
      • 3. 회로 시뮬레이션
      • 4. 실험
      • ABSTRACT
      • 1. 서론
      • 2. 산화막 성장률
      • 3. 회로 시뮬레이션
      • 4. 실험
      • 5. 전기적 특성
      • 6. 결론
      • REFERENCE
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