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1996년
eng
0921-5107
1873-4944
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
MATERIALS SCIENCE AND ENGINEERING -LAUSANNE- B
200-203 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Carbon, hydrogen, nitrogen, and oxygen in silicon and in other elemental semiconductors
Symposium N; Spring meeting
Strasbourg; France
1995; May
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Light impurities and their interactions in silicon
Activation energies for the formation of oxygen clusters related to the thermal donors in silicon
Simulation of oxygen precipitation in CZ-Si crystal during the pulling process