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1991년
eng
0361-5235
1543-186X
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
Journal of Electronic Materials
79-90 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Stress in “cathodic” plasma oxides as a function of processing parameters
Very high purity In0.53Ga0.47As grown by molecular beam epitaxy