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예시)

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저자

Biyikli, N. ; Ozgur, U. ; Ni, X. ; Fu, Y. ; Morkoc, H. ; Kurdak, C.
발행기관

Warrendale, Pennsylvania; Materials Research Society
학술지명
Materials Research Society Symposium Proceedings
권호사항

Vol.955 No.- [2007]
발행연도
2007년
작성언어
eng
주제어

Nitride semiconductor materials ; Nitride semiconductor devices ; III-V nitride semiconductor materials
ISSN
0272-9172
자료형태
학술저널
원정보자원
MATERIALS RESEARCH SOCIETY SYMPOSIUM PROCEEDINGS
수록면
124-126 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
회의자료명
Advances in III-V nitride semiconductor materials and devices
회의명
Symposium
회의장소
Boston, MA
회의날짜
2006; Nov
소장기관
- 한국과학기술원(KAIST) 중앙도서관
ⓒ COPYRIGHT THE BRITISH LIBRARY BOARD: ALL RIGHT RESERVED

Investigation of The Electrical and Chemical Properties of Plasma-Treated AlGaN
- Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999
- Cao, X.A.; Piao, H.; Leboeuf, S.F.; Lin, J.Y.; Jiang, H.X.
- 2007
Fabrication of High-performance Photodetector Based on AlGaN/GaN Hetero-field-effect Transistors with p-GaN Gate
- Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999
- Miura, S.; Fujii, T.; Iwaya, M.; Kamiyama, S.; Amano, H.; Akasaki, I.
- 2007
Al rich AlN/AlGaN Quantum Wells
- Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999
- Tahtamouni, T.M.A.; Nepal, N.; Lin, J.; Jiang, H.
- 2007
Strain-free Low-defect-density Bulk GaN with Nonpolar Orientations
- Warrendale, Pa.; Materials Research Society; 1999
- Paskova, T.; Paskov, P.P.; Darakchieva, V.; Kroeger, R.; Hommel, D.; Monemar, B.; Lourdudoss, S.; Preble, E.; Hanser, A.; Williams, M.N.
- 2007