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      광발광 측정에 의한 단결정형 황화카드뮴 반도체의 발광중심 연구 = Study on the Luminescence Center of CdS Single Crystal from the Measurement of Photoluminescence

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      https://www.riss.kr/link?id=A19569059

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      국문 초록 (Abstract)

      황화카드뮴 단결정에 수은 램프에서 나오는 파장 365㎚의 빛을 입사시키며 293K에서부터 25K의 저온까지 온도를 변화시켜 광발광 실험을 수행했다. 판상과 덩어리 시편에서 모두 파장 547㎚의 ...

      황화카드뮴 단결정에 수은 램프에서 나오는 파장 365㎚의 빛을 입사시키며 293K에서부터 25K의 저온까지 온도를 변화시켜 광발광 실험을 수행했다. 판상과 덩어리 시편에서 모두 파장 547㎚의 국소화된 광발광 봉우리가 나타나는 한편 판상의 시편에서는 파장 516.5㎚와 517㎚의 비국소화된 광발광 봉우리도 관측 되었다.
      국소화된 광발광과 비국소화된 광발광의 경우에 대해 모두 받개준위의 발광중심은 S^1+ 상태에 기인하는 것으로 나타났다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      Study on the photolumine scence(PL) measurement has been carried for CdS single crystals platelet and bulk using incidence light of the wavelength 365㎚ of mercury lamp and varying the temperature of the samples in the range of 293K and 25K. the loc...

      Study on the photolumine scence(PL) measurement has been carried for CdS single crystals platelet and bulk using incidence light of the wavelength 365㎚ of mercury lamp and varying the temperature of the samples in the range of 293K and 25K.
      the localized PL peak of the wavelength 547㎚ was observed at the PL spectrum of the samples of the platelet and bulk, but nonlocalized PL peaks of the wavelength 516.5㎚ and 517㎚ were observed at the platelet samples, respectively.
      It has been found that the luminescence center of the acceptor level was due to the S^1+ state regarding both localized PL and nonlocalized one.

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