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IEEE Transactions on Electron Devices information for authors
unknown IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.C3-C3
IEEE Transactions on Electron Devices publication information
unknown IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.C2-C2
Changes in the Editorial Board
Ghione, Giovanni IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1398-1399
On DRAM Rowhammer and the Physics of Insecurity
Walker, Andrew J.; Lee, Sungkwon; Beery, Dafna IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1400-1410
Inelastic Electron Tunneling Spectroscopy: Investigation of Bulk Dielectrics and Molecules
Kim, Youngsang; Chang, Soon W. IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1411-1419
Impact of Self-Heating on Negative-Capacitance FinFET: Device-Circuit Interaction
Prakash, Om; Pahwa, Girish; Dabhi, Chetan K.; Chauhan, Yogesh S.; Amrouch, Hussam IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1420-1424
Sun, Chen; Xu, Haiwen; Liang, Jie; Kong, Eugene Y. -J.; Nguyen, Bich-Yen; Schwarzenbach, Walter; Maleville, Christophe; Berthelon, Remy; Weber, Olivier; Arnaud, Franck; Wang, Xinke; Thean, Aaron V. -Y.; Gong, Xiao IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1425-1431
Xia, Kejun IEEE INSTITUTE OF ELECTRICAL AND ELECTRONICS 2021 p.1432-1438
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
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