Pulsed laser deposition 방법으로 제작한 Mn이 첨가된 ZnGa2O4 형광체 박막의 형광특성 = Luminescence Characteristics of Pulsed-laser-deposited Mn-doped ZnGa2O4 Thin Film Phosphors

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Mn-doped ZnGa2O4 thin lm phosphors have been deposited on MgO(100) substrates at substrate
temperatures of 500, 600, and 700 C with a fixed oxygen pressure 100 mTorr by using a pulsed laser deposition technique. The films grown at different substrate temperatures have different crystallinities and surface morphologies. The brightness of Mn-doped ZnGa2O4 films on MgO(100) substrates increases monotonically with the substrate temperature. In the X-ray diffraction, the Ga2O3 phase is present at a substrate temperature of 600C or higher, and the luminescent spectrum
for Mn2+ extends from 465 to 570 nm and peaks at 509 nm. The photoluminescence brightness data obtained from the Mn-doped ZnGa2O4 films strongly depends on the substrate temperature, and the brightness was obtained at a substrate temperature of 600 C.

국문 초록 (Abstract)

Mn이 첨가된 ZnGa$_2$O$_4$ 형광체 박막을 산소 분압 100 mTorr에서
기판 온도를 500 $^\circ$C, 600 $^\circ$C, 700 $^\circ$C로
변화시키며 MgO(100) 기판 위에 펄스 레이저 증착법을 이용하여
증착시켰고, 이렇게 증착되어진 형광체 박막에 대한 결정 구조,
표면형상과 발광 특성을 조사하였다. X-선 회절 실험 결과, 600
$^\circ$C이상의 증착 온도에서 Ga$_2$O$_3$ 상이 나타남을
확인하였고, Mn$^{2+}$에 대한 발광 스펙트럼은 465 nm에서 570
nm까지의 영역에서 형광 스펙트럼을 가지며 509 nm에서 최고 피크값을
나타내었다. 형광의 세기가 기판 온도에 의존하는 경향을 보였고, 증착
온도가 600 $^\circ$C 일 때가 형광 스펙트럼의 강도가 가장 높게
나타남을 확인하였다.