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예시)

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ⅰ ⅱ ⅲ ⅳ ⅴ ⅵ ⅶ ⅷ ⅸ ⅹ Ⅰ Ⅱ Ⅲ Ⅳ Ⅴ Ⅵ Ⅶ Ⅷ Ⅸ Ⅹ

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저자

Kavokin, A. ; Malpuech, G.
발행기관

St Petersburg:; loffe Institute,
학술지명
NANOSTRUCTURES
권호사항

Vol.9 No.9^T^H [2001]
발행연도
2001년
작성언어
eng
주제어

Nanostructures ; Nanostructures ; Nanotechnology
자료형태
학술저널
원정보자원
NANOSTRUCTURES- INTERNATIONAL SYMPOSIUM; NO 9 2001
수록면
550-553 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
국제 표준도서번호
5936340058 (pbk)
회의자료명
Nanostructures: physics and technology
회의명
9th:; INTERNATIONAL SYMPOSIUM
회의장소
St Petersburg, Russia
회의날짜
2001; Jun
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Molecular beam epitaxy (MBE) of quantum devices
- St Petersburg:; loffe Institute,
- Cho, A. Y.; Sivco, D. L.; Ng, H. M.; Gmachl, C.; Tredicucci, A.; Colombelli, R.; Capasso, F.
- 2001
X-ray diffraction study of CdSe/BeTe nanostructures grown by MBE with stressor-controlled interfaces
- St Petersburg:; loffe Institute,
- Kyutt, R. N.; Shubina, T. V.; Sorokin, S. V.; Ivanov, S. V.; Kop ev, P. S.; Waag, A.; Landwehr, G.; Willander, M.
- 2001
Novel GaAs/GaSb heterostructures emitting at 2 mum wavelength
- St Petersburg:; loffe Institute,
- Solov ev, V. A.; Toropov, A. A.; Mel tser, B. Y.; Terent ev, Y. V.; Kyutt, R. N.; Sitnikova, A. A.; Semenov, A. N.; Ivanov, S. V.; Motlan; Goldys, E. M.
- 2001
Evolution of RHEED intensity in the simulated homoepitaxial growth of GaAs(001)
- St Petersburg:; loffe Institute,
- Itoh, M.; Ohno, T.
- 2001