MEMS 기술을 이용한 μN급 추력 측정 시스템의 제작 방법

국문 초록 (Abstract)

MEMS 기술을 이용하여 μN급 추력에 적합한 추력 측정 시스템을 제작 하였다. 제작될 MEMS 추력측정 시스템의 설계는 FEM 해석을 수행하여 빔과 박막, 압저항 센서의 크기를 설계 하였다. MEMS 추력 측정 시스템은 압저항 센서 제작 공정과 빔-박막 구조 제작 공정을 통해 제작되었다. 압저항 센서는 다결정 실리콘에 보론 이온을 주입한 후 열처리 공정을 통해 제작 되었으며, 빔-박막 구조는 웨이퍼의 앞면과 뒷면의 실리콘 층을 식각 공정을 통해 제거함으로써 제작되었다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Thrust measurement system suitable for μN level thrust was fabricated through MEMS technology. The dimensions of the beam, membrane, and piezoresistive sensor of the MEMS thrust measurement system were designed through FEM analysis. The MEMS thrust measurement system was fabricated through fabrication process of piezoresistive sensor and beam-membrane structure. The piezoresistive sensor was fabricated by implanting the boron ions into poly-silicon and annealing process. The beam-membrane structure was fabricated by etching the front and backside silicon layers of the wafer through an etching process.

목차 (Table of Contents)

• ABSTRACT
• 초록
• 1. 서론
• 2. 본론
• 3. 결론
• References