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1997년
eng
학술저널
SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS
404-405 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
4930813786
Solid state devices and materials
International conference; 15th
Hamamatsu; Japan
1997; Sep
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Silicon-Based IC Technology for Giga-Scale Integration Era
Reliability and Scaling of Thin Gate Oxide
Root Cause Analysis of Thin Gate Oxide Degradation during Fabrication of Advanced CMOS ULSI Circuits