멤리스터(Memristor)는 메모리 레지스터의 합성어로 흐른 전하량에 따라 저항이 스스로 변하고 전원이 끊긴 상태에서도 저항 상태가 기억되는 특수한 메모리 소자이다. 본 논문에서는 차세대 ...
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국문 초록 (Abstract)
멤리스터(Memristor)는 메모리 레지스터의 합성어로 흐른 전하량에 따라 저항이 스스로 변하고 전원이 끊긴 상태에서도 저항 상태가 기억되는 특수한 메모리 소자이다. 본 논문에서는 차세대 ...
멤리스터(Memristor)는 메모리 레지스터의 합성어로 흐른 전하량에 따라 저항이 스스로 변하고 전원이 끊긴 상태에서도 저항 상태가 기억되는 특수한 메모리 소자이다. 본 논문에서는 차세대 메모리소자로 주목받고 있는 멤리스터를 모델링하고 SPICE 시뮬레이션을 위한 behavior모델을 제시한다. 그리고 제안된 모델을 바탕으로 멤리스터 기반의 M_CAM(Memristor MOS content addressable memory)을 설계하였다. 제안된 M_CAM은 기존의 CAM에 비해서 단위 셀 면적과 평균 전력소모가 각각 40%, 96% 감소하였다. 칩은 0.13㎛ CMOS 공정에서 공급전압이 1.2V를 갖도록 설계되었다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
Memristor is a portmanteau of “memory resistor”. The resistance of memristor is changed depends on the history of electric charge that passed through the device and it is able to memorize the last resistance after turning off the power supply. Thi...
Memristor is a portmanteau of “memory resistor”. The resistance of memristor is changed depends on the history of electric charge that passed through the device and it is able to memorize the last resistance after turning off the power supply. This paper presents this device that has a high chance to be the next generation of commercial non-volatile memory and its behavior modeling using SPICE simulation. The memristor MOS content addressable memory (M_CAM) is also designed and simulated using the proposed behavioral model. The proposed M_CAM unit cell area and power consumption show an improvement around 40% and 96%, respectively, compare to the conventional SRAM based CAMs. The M_CAM layout is also implemented using 0.13㎛ mixed-signal CMOS process under 1.2 V supply voltage.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 D.B. Strukov, "The missing memristor found" 453 : 80-83, 2008
2 O. Kavehei, "The fourth element: characteristics, modelling" 1 : 1-21, 2010
3 L.O. Chua, "Memristor-missing circuit element" 18 : 507-519, 1971
4 K. Eshraghian, "Memristor MOS content addressable memory (MCAM): hybrid architecture for future high performance search engines" 1 : 1-11, 2010
5 J. Borghetti, "Memristive switches enable stateful logic operations via material implication" (464) : 2010
6 K.J. Schultz, "Fully parallel 25 MHz, 2.5-Mb CAM" 332-333, 1998
7 K. Pagiamtzis, "Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: a tutorial and survey" 41 (41): 2006
1 D.B. Strukov, "The missing memristor found" 453 : 80-83, 2008
2 O. Kavehei, "The fourth element: characteristics, modelling" 1 : 1-21, 2010
3 L.O. Chua, "Memristor-missing circuit element" 18 : 507-519, 1971
4 K. Eshraghian, "Memristor MOS content addressable memory (MCAM): hybrid architecture for future high performance search engines" 1 : 1-11, 2010
5 J. Borghetti, "Memristive switches enable stateful logic operations via material implication" (464) : 2010
6 K.J. Schultz, "Fully parallel 25 MHz, 2.5-Mb CAM" 332-333, 1998
7 K. Pagiamtzis, "Content-Addressable Memory (CAM) circuits and architectures: a tutorial and survey" 41 (41): 2006
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dB-선형적 특성을 가진 GPS 수신기를 위한 CMOS 가변 이득 증폭기
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2014-01-21 | 학회명변경 | 영문명 : The Institute Of Electronics Engineers Of Korea -> The Institute of Electronics and Information Engineers | |
2012-09-01 | 평가 | 학술지 통합(등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2007-10-04 | 학술지명변경 | 한글명 : 전자공학회논문지 - SD</br>외국어명 : SemiconductorandDevices | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2005-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지(등재유지) | |
2002-07-01 | 평가 | 등재학술지 선정(등재후보2차) | |
2000-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정(신규평가) |