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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      A Dual-Capture Wide Dynamic Range CMOS Image Sensor Using Floating-Diffusion Capacitor

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      https://www.riss.kr/link?id=A107723858

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

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      <P> A dual-capture wide dynamic range CMOS image sensor using an in-pixel floating-diffusion (FD) storage capacitor is proposed. The proposed structure uses the FD as a storage capacitor. The potential of the FD node is read out using a floating-gate capacitor without a contact metallization of the FD node to reduce the leakage. The proposed sensor was fabricated using a 0.35-<TEX Notation='TeX'><TEX>$\mu\hbox{m}$</TEX></TEX> CMOS process. The chip includes 320 <TEX Notation='TeX'><TEX>$\times$</TEX></TEX> 240 pixels whose pitch is 5.6 <TEX Notation='TeX'><TEX>$\mu\hbox{m}$</TEX></TEX> and whose fill factor is 36%. The measurement results show 100-dB dynamic range, and the leakage at the non-metalized FD is reduced to about one-third of that of the conventional FD with the contact metallization. </P>
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      <P> A dual-capture wide dynamic range CMOS image sensor using an in-pixel floating-diffusion (FD) storage capacitor is proposed. The proposed structure uses the FD as a storage capacitor. The potential of the FD node is read out using a floating...

      <P> A dual-capture wide dynamic range CMOS image sensor using an in-pixel floating-diffusion (FD) storage capacitor is proposed. The proposed structure uses the FD as a storage capacitor. The potential of the FD node is read out using a floating-gate capacitor without a contact metallization of the FD node to reduce the leakage. The proposed sensor was fabricated using a 0.35-<TEX Notation='TeX'><TEX>$\mu\hbox{m}$</TEX></TEX> CMOS process. The chip includes 320 <TEX Notation='TeX'><TEX>$\times$</TEX></TEX> 240 pixels whose pitch is 5.6 <TEX Notation='TeX'><TEX>$\mu\hbox{m}$</TEX></TEX> and whose fill factor is 36%. The measurement results show 100-dB dynamic range, and the leakage at the non-metalized FD is reduced to about one-third of that of the conventional FD with the contact metallization. </P>

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