Al/BaTa2O6/GaN MIS 구조의 특성 = Characteristics of Al/BaTa2O6/GaN MIS structure

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

A GaN-based metal-insulator-semiconductor (MIS) structure has been fabricated by using BaTa2O6 instead of conventional oxide as insulator gate. The leakage current of films are in order of 10-12 10-13 A/cm2 for GaN on Al2O3(0001) substrate and in order of 10-6 10-7 A/cm2 for GaN on GaAs(001) substrate. The leakage current of thses films is governed by space-charge-limited current over 45 MV/cm in case of GaN on Al2O3(0001) substrate and by Poole-Frenkel emission in case of GaN on GaAs(001).

국문 초록 (Abstract)

일반적인 산화 절연 게이트 대신 BaTa2O6를 사용한 GaN metal-insulator- semiconductor(MIS) 구조를 제작하였다. Al2O3(0001) 기판 위에서와 GaAs(001) 기판 위에서의 GaN 막의 누설 전류는 각각 10-12 10-13 A/cm2와 10-6 10-7 A/cm2로 측정되었다. 이 막의 누설전류는 각각 Al2O3(0001) 기판 위의 GaN인 경우는 45 MV/cm가 넘는 공간전하 제한전류에 의하여, GaAs(001) 기판 위의 GaN인 경우는 Poole-Frenkel 방출에 따른다는 것을 확인하였다.