1 B. M. Green, 21 : 268-, 2000
2 R. Vetury, 48 : 560-, 2001
3 N-Q. Zhang, 21 : 421-, 2000
4 Y. Pei, 30 : 328-, 2009
5 V. Tilak, 22 : 504-, 2001
6 J. K. Gillespie, 23 : 505-, 2002
7 H. Xing, 25 : 161-, 2004
8 Y-F. Wu, 2007
9 T. Palacios, 2005
10 S. Karmalkar, 45 : 1645-, 2001
1 B. M. Green, 21 : 268-, 2000
2 R. Vetury, 48 : 560-, 2001
3 N-Q. Zhang, 21 : 421-, 2000
4 Y. Pei, 30 : 328-, 2009
5 V. Tilak, 22 : 504-, 2001
6 J. K. Gillespie, 23 : 505-, 2002
7 H. Xing, 25 : 161-, 2004
8 Y-F. Wu, 2007
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10 S. Karmalkar, 45 : 1645-, 2001
11 Hyungtak Kim, "High-electric-field Induced Trap Generation in AlGaN/GaN Heterostructure Field-effect Transistors" 한국물리학회 55 (55): 666-670, 2009
12 Chang-SeokKim, "Current Dispersion E ects of Planar-Type AlGaN/GaN HFET's Grown by MOCVD" 한국물리학회 40 (40): 310-313, 2002