이온빔 스퍼터링 증탁 ITO 박막의 미세 구조와 전기적 특성 = The electrical properties and microstructure of ITO films deposited by ion beam sputtering

국문 초록 (Abstract)

이온빔 스퍼터링을 이용하여 indium tin oxide(ITO)박막을 증착하였다. Ar가스만을 이용하여 플라즈마를 형성한 경우 O₂를 첨가한 경우에 대해 기판온도를 상온에서 200℃까지 증가시키면서 온도의 영향을 관찰하였으며 이온빔 에너지의 변화가 박막의 특성에 미치는 영향을 관찰하였다. Ar 이온만으로 증착한 ITO 박막은 domain 구조를 보였으며 Ar+O₂이온으로 증착한 경우 grain 구조를 나타내었다. Ar 이온만으로 증착된 ITO박막의 전기 비저항의 최소값은 100℃ 기판온도에서 1.5*10^-4Ωcm 값을 보였으며 산소 첨가의 경우에는 150℃dptj 4.3*10^-4Ωcm 이었다. 보든 박막이 100℃이상의 기판 온도에서 가시광영역에서의 투과도는 80%이상의 값을 보였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

Better electrical and optical properties of ITO thin films were demanded for the window layer of CdS/CdTe solar cells. To match that demand, an ion beam sputtering system was used for the deposition of ITO thin films. The substrate temperature and ion beam energy were controlled to deposit high quality ITO thin films in two cases of Ar ion sputtering and Ar+O₂ion sputtering. The microstructure changed from domain structure in ITO deposited by Ar ions to grain structure in ITO deposited by Ar+O₂ions. The lowest resistivity of ITO films was 1.5* 10^-4Ωcm at 100'C substrate temperature in case of Ar ions sputtering. Transmittance in the visible range was over 80% above 100℃ substrate temperature.

목차 (Table of Contents)

• 요약
  
• Abstract
  
• 1. 서론
  
• 2. 실험방법
  
• 3. 결과 및 고찰
  
• 4. 결론
  
• 참고문헌