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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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Α Β Γ Δ Ε Ζ Η Θ Ι Κ Λ Μ Ν Ξ Ο Π Ρ Σ Τ Υ Φ Χ Ψ Ω α β γ δ ε ζ η θ ι κ λ μ ν ξ ο π ρ σ τ υ φ χ ψ ω
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      ICP-CVD로 성장한 SiC layer의 특성 = Characterization of SiC layer deposited by ICP-CVD

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      https://www.riss.kr/link?id=A2034436

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      SiC thin film have been prepared by ICP-CVD for low temperature deposition and large area deposition. The structural properties of deposited SiC films are characterized by employing SEM, FR-IR, XRD, XPS and Raman Spectroscopy. From the experimetal results, good crystallinity has been achieved in 1000℃ grown SiC film which have carbonization step at 1100℃ for substrate bias of 30V.
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      SiC thin film have been prepared by ICP-CVD for low temperature deposition and large area deposition. The structural properties of deposited SiC films are characterized by employing SEM, FR-IR, XRD, XPS and Raman Spectroscopy. From the experimetal res...

      SiC thin film have been prepared by ICP-CVD for low temperature deposition and large area deposition. The structural properties of deposited SiC films are characterized by employing SEM, FR-IR, XRD, XPS and Raman Spectroscopy. From the experimetal results, good crystallinity has been achieved in 1000℃ grown SiC film which have carbonization step at 1100℃ for substrate bias of 30V.

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