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High frequency noise in fully overlapped lightly doped drain MOSFETs
Kumar, A.; Haldar, S.; Gupta, M.; Gupta, R. S. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.249-257
Tsai, W.; Carter, R. J.; Nohira, H.; Caymax, M.; Conard, T.; Cosnier, V.; DeGendt, S.; Heyns, M.; Petry, J.; Richard, O. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.259-272
Passively Q-switched operation of a double contact tapered InGaAs/GaAs diode laser
Cakmak, B. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.273-278
Electrical characteristics of diodes fabricated with organic semiconductors
Liang, G.; Cui, T.; Varahramyan, K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.279-284
Patterning of W/WNx/poly-Si gate electrode using Cl2/O2 plasmas
Kim, H. W.; Ju, B. S.; Kang, C. J.; Moon, J. T. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.285-292
Hocine, R.; Boudghene Stambouli, A.; Saidane, A. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.293-306
Kim, H. S.; Kim, T. Y.; Kim, Y. Y.; Han, G. P.; Paek, M. C.; Shin, D. H.; Rhee, J. K. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.307-318
High-rate Ru electrode etching using O2/Cl2 inductively coupled plasma
Kim, H. W.; Ju, B. S.; Kang, C. J. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.319-326
Fabrication of sub-10-nm Au-Pd structures using 30 keV electron beam lithography and lift-off
Lehmann, F.; Richter, G.; Borzenko, T.; Hock, V.; Schmidt, G.; Molenkamp, L. W. Elsevier Science B.V., Amsterdam. 2003 p.327-333
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