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Understanding the Limits of Ultrathin SiO2 and Si-O-N Gate Dielectrics for Sub-50 nm CMOS
Green, M. L. ELSEVIER 1999 p.25-30
The role of native traps on the tunneling characteristics of ultra-thin (1.5-3 nm) oxides
Ghetti, A. ELSEVIER 1999 p.31-34
Novel mechanisms in nm-thick gate SiO2 growth at low temperatures utilizing activated oxygen
Fuyuki, T. ELSEVIER 1999 p.35-38
The Effects of Ge Content in Poly-Si1-xGex Gate Material on the Tunneling Barrier in PMOS Devices
Shanware, A. ELSEVIER 1999 p.39-42
X-ray irradiation effect on the reliability of ultra-thin gate oxides and oxynitrides
Houssa, M. ELSEVIER 1999 p.43-46
Investigation of temperature acceleration of thin oxide time-to-breakdown
Kaczer, B. ELSEVIER 1999 p.47-50
Reliability of Ultra Thin Oxide and Nitride Films in the 1 nm to 2 nm Range
Yuwono, B. ELSEVIER 1999 p.51-54
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
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