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2006년
eng
0741-3106
1558-0563
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS
87-89 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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A Normally Off GaN n-MOSFET With Schottky-Barrier Source and Drain on a Si-Auto-Doped p-GaN/Si
Graded Base Type-II InP/GaAsSb DHBT With f~T = 475 GHz
High Work Function Ir~xSi Gates on HfAlON p-MOSFETs