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2019년
eng
1063-7826
1090-6479
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
Semiconductors
1092-1098 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Submonolayer InGaAs/GaAs Quantum Dots Grown by MOCVD
Effect of Bismuth on the Properties of Elastically Stressed AlGaInAsP〈Bi〉/InP Heterostructures