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      65-nm CMOS 300 GHz 영상 검출기 및 영상 획득

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      https://www.riss.kr/link?id=A100063293

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      국문 초록 (Abstract)

      본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검...

      본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 285 GHz에서 2,270 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였으며, 250~305 GHz의 범위에서 NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>를 보였다. 측정용 패드와 밸룬(Balun)을 포함한 제작된 칩의 크기는 400 μm×450 μm이며, 측정용 요소들을 제외한 주요 칩의 크기는 150 μm×100 μm이다.

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      In this work, a 300 GHz imaging detector has been developed and image has been acquired in a 65-nm CMOS technology. The circuit was designed based on the square-law of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 2,270 V/...

      In this work, a 300 GHz imaging detector has been developed and image has been acquired in a 65-nm CMOS technology. The circuit was designed based on the square-law of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 2,270 V/W and minimum NEP of 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> at 285 GHz, and NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> for 250~305 GHz range. The chip size is 400 μm× 450 μm including the probing pads and a balun, while the core of the circuit occupies only 150 μm×100 μm.

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      목차 (Table of Contents)

      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 회로 설계
      • Ⅲ. 측정 결과
      • 요약
      • Abstract
      • Ⅰ. 서론
      • Ⅱ. 회로 설계
      • Ⅲ. 측정 결과
      • Ⅳ. 결론
      • References
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      참고문헌 (Reference)

      1 M. Uzunkol, "Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology" 1-3, 2012

      2 H. Sherry, "Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies" 1-4, 2011

      3 Franz Schuster, "Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors" 19 (19): 7827-7832, 2011

      4 윤대근, "65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기" 한국전자파학회 24 (24): 1027-1033, 2013

      5 R. Han, "280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS" 254-256, 2012

      1 M. Uzunkol, "Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology" 1-3, 2012

      2 H. Sherry, "Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies" 1-4, 2011

      3 Franz Schuster, "Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors" 19 (19): 7827-7832, 2011

      4 윤대근, "65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기" 한국전자파학회 24 (24): 1027-1033, 2013

      5 R. Han, "280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS" 254-256, 2012

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      2018-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2015-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2011-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2009-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2008-04-08 학술지명변경 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science KCI등재
      2007-01-01 평가 등재학술지 유지 (등재유지) KCI등재
      2004-01-01 평가 등재학술지 선정 (등재후보2차) KCI등재
      2003-01-01 평가 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) KCI등재후보
      2002-01-01 평가 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) KCI등재후보
      2000-07-01 평가 등재후보학술지 선정 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 0.2 0.2 0.17
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.15 0.13 0.363 0.1
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