본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검...
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2014
Korean
KCI등재
학술저널
791-794(4쪽)
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본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검...
본 논문에서는 65-nm CMOS 공정을 이용하여 300 GHz 주파수 대역의 영상 검출기를 제작하고, 이에 기반하여 영상을 획득하였다. 검출기 회로 구조는 square-law 동작에 기초를 두고 있다. 제작된 검출기는 285 GHz에서 2,270 V/W의 최대 반응도(responsivity)와 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>의 최소 NEP(Noise Equivalent Power)를 보였으며, 250~305 GHz의 범위에서 NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP>를 보였다. 측정용 패드와 밸룬(Balun)을 포함한 제작된 칩의 크기는 400 μm×450 μm이며, 측정용 요소들을 제외한 주요 칩의 크기는 150 μm×100 μm이다.
다국어 초록 (Multilingual Abstract)
In this work, a 300 GHz imaging detector has been developed and image has been acquired in a 65-nm CMOS technology. The circuit was designed based on the square-law of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 2,270 V/...
In this work, a 300 GHz imaging detector has been developed and image has been acquired in a 65-nm CMOS technology. The circuit was designed based on the square-law of MOSFET devices. The fabricated detector exhibits a maximum responsivity of 2,270 V/W and minimum NEP of 38 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> at 285 GHz, and NEP<~200 pW/Hz<SUP>1/2</SUP> for 250~305 GHz range. The chip size is 400 μm× 450 μm including the probing pads and a balun, while the core of the circuit occupies only 150 μm×100 μm.
목차 (Table of Contents)
참고문헌 (Reference)
1 M. Uzunkol, "Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology" 1-3, 2012
2 H. Sherry, "Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies" 1-4, 2011
3 Franz Schuster, "Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors" 19 (19): 7827-7832, 2011
4 윤대근, "65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기" 한국전자파학회 24 (24): 1027-1033, 2013
5 R. Han, "280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS" 254-256, 2012
1 M. Uzunkol, "Millimeter-wave and terahertz sources and imaging systems based on 45nm CMOS technology" 1-3, 2012
2 H. Sherry, "Lens-integrated THz imaging arrays in 65nm CMOS technologies" 1-4, 2011
3 Franz Schuster, "Broadband terahertz imaging with highly sensitive silicon CMOS detectors" 19 (19): 7827-7832, 2011
4 윤대근, "65-nm RFCMOS 공정 기반 145 GHz 이미징 검출기" 한국전자파학회 24 (24): 1027-1033, 2013
5 R. Han, "280 GHz and 860 GHz image sensors using Schottky-barrier diodes in 0.13 m digital CMOS" 254-256, 2012
수직 장착된 결합선로를 이용한 광대역 90° 쉬프만 위상천이기
60 GHz 밀리미터파 무선 링크 RRH를 활용하는 셀룰러 시스템의 전송 성능 평가
ESPAR 안테나를 사용하는 카오스 QPSK 빔 공간 MIMO 시스템을 위한 리액턴스 조합과 성능 평가
학술지 이력
연월일 | 이력구분 | 이력상세 | 등재구분 |
---|---|---|---|
2027 | 평가예정 | 재인증평가 신청대상 (재인증) | |
2021-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (재인증) | |
2018-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2015-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2011-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2009-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2008-04-08 | 학술지명변경 | 외국어명 : The Journal Of The Korea Electromagnetic Engineering Society -> The Journal Of Korean Institute of Electromagnetic Engineering and Science | |
2007-01-01 | 평가 | 등재학술지 유지 (등재유지) | |
2004-01-01 | 평가 | 등재학술지 선정 (등재후보2차) | |
2003-01-01 | 평가 | 등재후보 1차 PASS (등재후보1차) | |
2002-01-01 | 평가 | 등재후보학술지 유지 (등재후보1차) | |
2000-07-01 | 평가 | 등재후보학술지 선정 (신규평가) |
학술지 인용정보
기준연도 | WOS-KCI 통합IF(2년) | KCIF(2년) | KCIF(3년) |
---|---|---|---|
2016 | 0.2 | 0.2 | 0.17 |
KCIF(4년) | KCIF(5년) | 중심성지수(3년) | 즉시성지수 |
0.15 | 0.13 | 0.363 | 0.1 |