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2005년
eng
0361-5235
1543-186X
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS
399-403 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Fast Epitaxial Growth of High-Purity 4H-SiC(0001) in a Vertical Hot-Wall Chemical Vapor Deposition
Thermally Stimulated Current Spectroscopy of High-Purity Semi-Insulating 4H-SiC Substrates