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      Optimization of transmittance and resistance of indium gallium zinc oxide/Ag/indium gallium zinc oxide multilayer electrodes for photovoltaic devices

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      https://www.riss.kr/link?id=A104218242

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      We report on the optimization of the optical and electrical properties of IGZO/Ag/IGZO multilayer films as a function of IGZO thickness. The transmission window slightly widened and shifted toward lower energies with increasing IGZO thickness. The IGZ...

      We report on the optimization of the optical and electrical properties of IGZO/Ag/IGZO multilayer films as a function of IGZO thickness. The transmission window slightly widened and shifted toward lower energies with increasing IGZO thickness. The IGZO(39 nm)/Ag(19 nm)/IGZO(39 nm) showed transmittance 88.7% at 520 nm. The optical transmittance spectra were examined by finite-difference time-domain (FDTD) simulations. The carrier concentration decreased from 1.73 × 1022 to 4.99 × 1021 cm-3 with increasing the IGZO thickness, while the charge mobility insignificantly changed from 19.07 to 19.62 cm2/V. The samples had sheet resistances of 4.17-4.39 Ω/sq with increasing IGZO thickness, while the resistivity increased from 1.89 × 10-5 to 6.43 × 10-5 Ω cm. The 39 nm-thick IGZO multilayer sample had a smooth surface with a root mean square roughness of 0.63 nm. The IGZO(39 nm)/Ag(19 nm)/ IGZO(39 nm) multilayer showed a Haacke's FOM of 49.94 × 10-3 Ω -1.

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      참고문헌 (Reference)

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