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1998년
eng
학술저널
PROCEEDINGS OF SYMPOSIUM ON DRY PROCESS
281-286 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
Dry process
Symposium; 20th
Tokyo
1998; Nov
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Surface-Catalysed Atom-Atom Recombination
High Aspect Ratio SiO~2 Etching Employing Fluorocarbon Substituting Gases
Surface Kinetics of CFx Radicals in Fluorocarbon Plasmas Studied by Laser-Induced Fluorescence