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H. C. Kuo ; H. H. Yao ; Y. H. Chang ; Y. A. Chang ; M. Y. Tsai ; J. Hsieh ; E. Y. Chang ; S. C. Wang
2004년
-
0022-0248
1873-5002
SCI;SCIE;SCOPUS
학술저널
Journal of Crystal Growth
538-542 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
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Phase control of GaN on Si by nanoscale faceting in metalorganic vapor-phase epitaxy