MCNPX 코드를 이용한 방사선조사방식 정전기제거장치에서 최적구조의 방호조건 설계에 관한 연구

국문 초록 (Abstract)

OLED 및 반도체 제조 공정에서 정전기 장해로 불량이 증가하여 제조 수율이 낮아지고 있다. 이러한 정전기 문제를 해결하기 위해 도입된 정전기 제거장치는 전압인가방식과 방사선조사방식의 정전기 제거장치가 사용된다. 전압인가방식 정전기 제거장치는 오염물질 발생, 스패터링 현상, 이온 불균형, 정전유도작용 등의 문제점이 있어 주기적인 관리가 필요하다. 방사선조사방식의 정전기 제거장치는 부유미립자 등의 오염물질이 발생하지 않으며 제전시간이 신속하고, 넓은 제전범위 등 많은 장점이 있어 OLED 및 반도체 제조공정에 적합하지만 방사선 차폐에 대한 대책이 필요하다. 본 연구에서는 방사선조사방식 정전기 제거장치의 문제점인 방사선 누출에 대한 대책으로 방호장치를 설계하였다. 방사선이 발생하는 관로를 1차측, 방사선이 누출되지 않도록 꺾은 관로를 2차측으로 하였다. 이 방호장치를 MCNPX 코드로 시뮬레이션한 결과 1) 1차측 12㎜, 2차측 5.5㎜인 경우 방사선 누출량은 0.18μSv/h. 2) 1차측 12.5㎜, 2차측 13㎜인 경우에서 방사선 누출량은 0.15μSv/h. 3) 1차측 20㎜, 상부로 향한 2차측 7㎜인 경우 방사선 누출량은 0.11 μSv/h로 나타났다. 이 방호장치를 활용하여 방사선 노출이 없는 방사선조사방식 정전기제거장치를 제조하고자 한다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In OLED and semiconductor manufacturing processes, electrostatic interference increases defects and lowers manufacturing yields. A voltage application ionizer and a radiation irradiation ionizer are used to solve electrostatic problems. The voltage application ionizer has problems such as pollutant generation, spattering, ion imbalance, and electrostatic induction, so periodic management is required. The radiation irradiation ionizer has several advantages, so it is used in OLED and semiconductor manufacturing processes, but radiation issues must be resolved. In this study, protective devices are designed to solve radiation leakage problems. The pipe that emits radiation is the primary side, and the pipe that is bent to prevent radiation from leaking is the secondary side. Simulation results with MCNPX code are as follows: 1) primary length, 12mm; secondary length, 5.5mm, for radiation leakage at 0.18μ Sv/h; 2) primary length, 12.5mm; secondary length, 13mm, for radiation leakage at 0.15μSv/h; 3) primary length, 20mm; secondary length toward the top, 7mm, for radiation leakage at 0.11μSv/h. Applying these results, an attempt is made to manufacture, without radiation exposure, a radiation irradiation ionizer for protective devices.

목차 (Table of Contents)

• 요약
• Abstract
• 1. 서론
• 2. 이론적 배경
• 3. 시뮬레이션 장치 및 방호구조 설계
• 4. 시뮬레이션 결과 및 고찰
• 5. 결론
• References