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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      An alternative method for measurement of charge carrier mobility in semiconductors using photocurrent transient response

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      https://www.riss.kr/link?id=A107416374

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      <P><B>Abstract</B></P> <P>We report here a simple alternative method for measuring charge carrier drift mobilities in semiconductor devices. A typical falling photocurrent transient formula for switch-off-state was adjus...

      <P><B>Abstract</B></P> <P>We report here a simple alternative method for measuring charge carrier drift mobilities in semiconductor devices. A typical falling photocurrent transient formula for switch-off-state was adjusted to obtain simultaneously electron and hole mobilities. For both undoped ZnO film and InAlAs/InGaAs quantum well structure, electron mobilities extracted from our model were compared with those obtained from maximum-entropy mobility-spectrum analysis method (ME-MSA). Our results demonstrated that electron mobility obtained from our photocurrent response model could serve as substitutes for a representative mobility obtained from ME-MSA.</P>

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