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Cho, Shin-Ho The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 2009 p.185-188
조신호 한국전기전자재료학회 2009 p.185-188
Jeong, Woo-Yang, Yi, Keun-Man The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 2009 p.189-192
정우양, 이근만 한국전기전자재료학회 2009 p.189-192
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
Jeong, Woo-Yang, Yi, Keun-Man The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 2009 p.193-195
Development of Low-Vgs N-LDMOS Structure with Double Gate Oxide for Improving Rsp
정우양, 이근만 한국전기전자재료학회 2009 p.193-195
Oh, Jin-Heon, Lim, Jong-Nam,Lee, Seung-Su,Lim, Kee-Joe The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 2009 p.196-199
오진헌, 임기조,임종남,이승수 한국전기전자재료학회 2009 p.196-199
Choi, Woon-Seop The Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers 2009 p.200-202
최운섭 한국전기전자재료학회 2009 p.200-202
SJR(SCImago Journal Rank)는 스페인 Consejo Superior de Investigaciones Cintificas의 Felix de Moya 교수에 의해 개발된 것으로, '모든 인용은 동등하지 않다'는 전제를 기반으로 둔 학술지의 영향력 지수입니다.
구글의 Page Rank 알고리즘의 영향을 받아 전체 인용 네트워크에서 노드에 점수를 매기는 방식으로, 명성이 높은 저널에서의 인용은 고득점으로 평가되어 같은 인용이라도 보다 높게 평가 됩니다. 또한 저널의 주제분야, 질과 명성이 모두 직접 영향을 미치는 평가 지료라고 할 수 있습니다.
Scopus 데이터의 인용정보를 활용하여 산출되며, Scopus에 등재되지 않은 OA 저널평가에도 유용합니다.