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Enlargement Growth of Large 4H-SiC Bulk Single Crystal
Kato, T.; Miura, T.; Nagai, I.; Taniguchi, H.; Kawashima, H.; Ozawa, T.; Arai, K.; Okumura, H. Transtec Publications; 1999 2011 p.3-7
Reducing Stacking Faults in Highly Doped N-Type 4H-SiC Crystal
Kojima, K.; Kato, T.; Ito, S.; Kojima, J.; Hirose, F.; Kito, Y.; Yamauchi, S.; Nishikawa, K.; Adachi, A. Transtec Publications; 1999 2011 p.8-11
On Application of Sublimation Epitaxy to Growth of Bulk 3C-SiC Crystals
Lebedev, A.A.; Abramov, P.L.; Zubrilov, A.S.; Bogdanova, E.V.; Lebedev, S.P.; Seredova, N.V.; Tregubova, A.S. Transtec Publications; 1999 2011 p.12-15
Experimental Verification of a Novel System for the Growth of SiC Single Crystals
Grasza, K.; Tymicki, E.; Racka-Dzietko, K.; Orzylowski, M. Transtec Publications; 1999 2011 p.16-19
Quality Investigation of 3C-SiC Crystals Grown by CF-PVT Technique
Galben-Sandulache, I.G.; Marinova, M.; Mantzari, A.; Sun, G.L.; Andreadou, A.; Chaussende, D.; Polychroniadis, E.K. Transtec Publications; 1999 2011 p.20-23
Polytype Stability of 4H-SiC Seed Crystal on Solution Growth
Alexander; Seki, K.; Kozawa, S.; Yamamoto, Y.; Ujihara, T.; Takeda, Y. Transtec Publications; 1999 2011 p.24-27
Kozawa, S.; Seki, K.; Alexander; Yamamoto, Y.; Ujihara, T.; Takeda, Y. Transtec Publications; 1999 2011 p.28-31
Effect of Low Frequency Magnetic Field on SiC Solution Growth
Mercier, F.; Nishizawa, S. Transtec Publications; 1999 2011 p.32-35
Crystal Growth of 4H-SiC on 6H-SiC by Traveling Solvent Method
Kusunoki, K.; Kamei, K.; Yashiro, N.; Moriguchi, K.; Okada, N. Transtec Publications; 1999 2011 p.36-39
The Effect of Process Parameters on 4H-SiC Single Crystal Grown by a PVT Method
Yeo, I.G.; Lee, T.W.; Park, J.H.; Yang, W.S.; Ryu, H.B.; Park, M.S.; Kim, I.S.; Shin, B.C.; Lee, W.J.; Eun, T.H. Transtec Publications; 1999 2011 p.40-43
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