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ア ァ カ サ ザ タ ダ ナ ハ バ パ マ ヤ ャ ラ ワ ヮ ン イ ィ キ ギ シ ジ チ ヂ ニ ヒ ビ ピ ミ リ ウ ゥ ク グ ス ズ ツ ヅ ッ ヌ フ ブ プ ム ユ ュ ル エ ェ ケ ゲ セ ゼ テ デ ヘ ベ ペ メ レ オ ォ コ ゴ ソ ゾ ト ド ノ ホ ボ ポ モ ヨ ョ ロ ヲ ―

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      The effects of the post-annealing temperatures of TiO2 buffer layers on ferroelectric properties in PLZT thin films

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 (PLZT) thin films with TiO2 buffer layers were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the films; and the ferroelectric propertie...

      (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 (PLZT) thin films with TiO2 buffer layers were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates
      by R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the
      films; and the ferroelectric properties and crystallinities of the PLZT thin films were investigated in terms
      of the effects of the post-annealing temperatures of TiO2 buffer layers between a Pt bottom electrode and
      a PLZT thin film. The ferroelectric properties of the PLZT thin films improved as the post-annealing temperatures
      of TiO2 layers increased, reaching their maximum at 600 ℃ and decreasing thereafter.

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      (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 (PLZT) thin films with TiO2 buffer layers were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates by R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the films; and the ferroelectric propert...

      (Pb0.92La0.08)(Zr0.65Ti0.35)O3 (PLZT) thin films with TiO2 buffer layers were deposited on Pt/Ti/SiO2/Si substrates
      by R.F. magnetron sputtering method in order to improve the ferroelectric characteristics of the
      films; and the ferroelectric properties and crystallinities of the PLZT thin films were investigated in terms
      of the effects of the post-annealing temperatures of TiO2 buffer layers between a Pt bottom electrode and
      a PLZT thin film. The ferroelectric properties of the PLZT thin films improved as the post-annealing temperatures
      of TiO2 layers increased, reaching their maximum at 600 ℃ and decreasing thereafter.

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      5 S. Ezhilvalavan, 87 : 252907-, 2005

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      8 H.M. Jang, 79 : 1051-, 2001

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      10 D.K. Fork, 61 : 1537-, 1992

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      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
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