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      KCI등재 SCIE SCOPUS

      Temperature-Dependent DC Characteristics of AlInN/GaN High-Electron-Mobility Transistors

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      https://www.riss.kr/link?id=A105893464

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      다국어 초록 (Multilingual Abstract)

      A 1.5 μm gate AlInN:Mg/GaN HEMT, exhibiting a maximum draincurrent (IDS,max) of 700 mA/mm at a gate bias voltage (VGS) of 0 V and amaximum transconductance (gm,max) of 190 mS/mm at drain-sourcevoltage (VDS) of 5 V, was analyzed at temperatures rangin...

      A 1.5 μm gate AlInN:Mg/GaN HEMT, exhibiting a maximum draincurrent (IDS,max) of 700 mA/mm at a gate bias voltage (VGS) of 0 V and amaximum transconductance (gm,max) of 190 mS/mm at drain-sourcevoltage (VDS) of 5 V, was analyzed at temperatures ranging from 210 K to420 K. It was found that IDS,max and gm,max have weak temperaturedependence with a power-law relation of ~T−0.5, owing to suppressedoptical phonon scattering. The threshold voltage (Vth) was found to bestable under increasing temperatures owing to the use of a semi-insulatingAlInN:Mg barrier. This indicates that AlInN:Mg/GaN HEMTs arepromising candidates for high-temperature electronics applications.

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      참고문헌 (Reference)

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      학술지등록 한글명 : Electronic Materials Letters
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      2008-01-01 평가 SCIE 등재 (신규평가) KCI등재후보
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      기준연도 WOS-KCI 통합IF(2년) KCIF(2년) KCIF(3년)
      2016 1.68 0.41 1.08
      KCIF(4년) KCIF(5년) 중심성지수(3년) 즉시성지수
      0.89 0.83 0.333 0.06
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