Undoped 및 Co-Doped Znln2S4 단결정의 광학적 특성 = Optical Properties of Undoped and Co-Doped ZnIn2S4 Single Crystals

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

ZnIn$_2$S$_4$ and ZnIn$_2$S$_4$ : Co single crystals crystallized in
rhombohedral forms with lattice constants a = 3.852 {|AA}, c =
37.215 {\AA} for ZnIn2S4 and a = 3.823 {\AA} and c = 36.975 {\AA}
for ZnIn$_2$S$_4$ : Co. The direct and indirect band gaps were to be
2.895 and 2.741 eV for ZnIn$_2$S$_4$ and 2.392 and 2.268 eV for
ZnIn$_2$S$_4$ : Co at 4 K. The temperature dependence of the optical
energy gap was well represented by the Varshni equation. The values
of $\alpha$ for the direct and the indirect energy gaps were found
to be 4.504 $\times$ 10$^{-4}$ eV/K and 2.392 $\times$ 10$^{-4}$
eV/K, respectively, the ZnIn$_2$S$_4$, and the values of $\beta$
were found to be 35 K and 14 K. For ZnIn$_2$S$_4$ : Co, the values
of $\alpha$ for the direct and tje indirect energy gaps were given
by 2.741 $\times$ 10$^{-4}$ eV/K and 4.121 $\times$ 10$^{-4}$ eV/K
respectively, and the values of $\beta$ by 23 K and 31 K.

국문 초록 (Abstract)

수직 Bridgman 방법으로 성장시킨 ZnIn$_2$S$_4$ 및 ZnIn$_2$S$_4$ : Co
단결정은 공간군이 C$^5_{3v}$(R3m)에 속한 rhombohedral구조로 결정화
된다. 기초 흡수단 영역에서 측정한 이들 결정의 직접전이 및 간접전이
에너지 간격을 갖으며, 4 K에서 구한 ZnIn$_2$S$_4$의 직접 및 간접전이
에너지 간격은 2.895 eV와 2.741 eV 이고 ZnIn$_2$S$_4$ : Co의 직접 및
간접전이 에너지 간격은 2.392 eV 및 2.268 eV로 각각 주어졌다. 4 K에서
300 K까지 온도 영역에서 측정한 이들 단결정의 광학적 에너지 간격은
Varshni방정식을 잘 만족하였다.

참고문헌 (Reference)

1 "Optical Processes in Semiconductors" Dover 3-, 1971