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1998년
eng
학술저널
INTERNATIONAL VLSI MULTILEVEL INTERCONNECTION CONFERENCE
291 [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]
International VLSI multilevel interconnection conference
15th
Santa Clara; CA
1998; Jun
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An Advanced Four Level BEOL Process With Dual Damascene Aluminum Wiring for GBIT DRAMS
Integration of MOCVD Copper and Low-k Fluorinated Amorphous Carbon in Single Demascene Structures
Copper Dual-Damascene Process Using Ta and TaN as Diffusion Barriers