원자막증착법(ALD) SnO₂ 촉매를 적용한 AlGaN/GaN 이종접합 트랜지스터 NO₂ 가스센서

국문 초록 (Abstract)

본 연구에서는, 원자막증착법(ALD) 공정으로 증착된 SnO₂ 촉매를 AlGaN/GaN 이종접합 FET에 적용하여 NO₂ 가스 검출이 가능한 것을 확인하였다. AlGaN/GaN-on-si 플랫폼에서 제작 된 HFET 센서로 NO₂ 100 ppm에 대하여 In-situ SiN이 있는 소자와 없는 소자가 각각 100 ℃, 200 ℃에서 10.1% 및 17.7%, 5.5% 및 38%의 감지성능을 확인하였다.

다국어 초록 (Multilingual Abstract)

In this work, it was confirmed that a SnO₂ catalyst deposited by an atomic layer deposition(ALD) process can be employed in AlGaN/GaN heterostructure FET to detect NO₂ gas. The fabricated HFET sensors on AlGaN/GaN-on-Si platform demonstrated that the devices with or without n-situ SiN have sensitivity of 5.5 % and 38 % at 200 ℃, respectively with response to 100 ppm-NO₂.

목차 (Table of Contents)

• Abstract
• 요약
• Ⅰ. 서론
• Ⅱ. SnO₂ 촉매를 gate로 한AlGaN/GaN 이종접합 FET 소자 제작 및 전달 특성, gas sensing performance 확인
• Ⅲ. 결론
• References