集積回路工學

목차 (Table of Contents)

• 목차
• 第一部 集積回路用 半導體素子 = 3
• 第一章 集積回路의 이해를 위한 몇가지 기본 고찰 = 3
• 1.1 半導體로부터 集積回路까지 = 5
• 1.2 에너지 띠그림, 나르개 = 12
• 1.3 電流의 크기를 정하는 基本要素 = 35
• 1.4 集積回路의 製造工程 = 54
• 참고문헌 = 91
• 第二章 半導體 接合, 接合구조를 이용한 半導體 素子 = 95
• 2.1 半導體 接合 = 98
• 2.2 pn-다이오드의 동작특성 = 112
• 2.3 受動素子 = 141
• 2.4 접합형 전계효과 트랜지스터(JFET) = 156
• 2.5 바이폴라 트랜지스터 = 164
• 참고문헌 = 199
• 第三章 금속-절연체-반도체(MIS) 구조 및 이를 사용한 반도체 소자 = 201
• 3.1 MIS-다이오드 = 204
• 3.2 Schottky-다이오드 및 ohmic 다이오드 = 216
• 3.3 MOS형 전계효과 트랜지스터(MOSFET) = 228
• 3.4 금속-반도체형 전계효과 트랜지스터(MeSFET) = 264
• 참고문헌 = 275
• 第二部 디지털 集積回路用 = 279
• 第四章 디지털 회로의 기본 = 279
• 4.1 디지털 소자의 특성 = 282
• 4.2 기본 논리소자 = 293
• 4.3 기본 논리회로 = 309
• 참고문헌 = 323
• 第五章 바이폴라 트랜지스터를 사용한 논리회로 = 325
• 5.1 인버터 = 328
• 5.2 RTL 및 기능상 집적된 논리소자 = 339
• 5.3 DTL과 TTL = 358
• 5.4 전류 스위치형 논리소자 = 381
• 5.5 case study:주파수 합성기 = 405
• 참고문헌 = 415
• 第六章 電界效果 트랜지스터를 사용한 논리회로 = 417
• 6.1 전달스위치(pass transistor) = 420
• 6.2 인버터 및 buffer = 424
• 6.3 static 논리회로 = 458
• 6.4 dynamic 논리회로 = 482
• 참고문헌 = 503
• 第七章 3진 논리회로 = 505
• 7.1 2진 회로와 3진회로의 연결 = 507
• 7.2 3진 논리소자 = 514
• 7.3 3진 sequential 논리회로 = 524
• 참고문헌 = 531
• 第八章 디지탈회로의 구성 = 533
• 8.1 규칙 배열 형태의 회로 = 535
• 8.2 기억소자 = 543
• 참고문헌 = 570
• 第三部 아날록 集積回路 = 573
• 第九章 아날록회로의 기본소자 = 573
• 9.1 트랜지스터의 소신호 모델 = 575
• 9.2 基準電流의 형성 = 583
• 9.3 基準電壓의 형성 = 602
• 9.4 multiplier core = 617
• 참고문헌 = 628
• 第十章 증폭회로소자 = 629
• 10.1 바이폴라 증폭소자 = 632
• 10.2 MOS 증폭소자 = 667
• 참고문헌 = 685
• 第十一章 되먹임회로 및 연산증폭기 = 687
• 11.1 되먹임회로 = 689
• 11.2 연산증폭기 = 717
• 11.3 전압 비교기 = 756
• 11.4 전압 조절기 = 768
• 참고문헌 = 782
• 第十二章 기타 기능의 회로 = 783
• 12.1 아날록 스위치 = 785
• 12.2 switched capacitor 회로 = 790
• 12.3 디지탈-아날록 신호 변환기 = 796
• 12.4 아날록-디지탈 신호 변환기 = 820
• 참고문헌 = 848
• 부록 = 849
• A. 물성 = 851
• B. 트랜지스터 및 다이오드의 SPICE 모델 = 852
• C. 연산증폭기 및 전압비교기의 응용회로 = 889
• 참고문헌 = 922
• 찾아보기 = 923