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      (Invited) Modeling of Field-Effect-Transistors with Strained and Alternative Channel Materials

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      https://www.riss.kr/link?id=O61762283

      • 저자
      • 발행기관
      • 학술지명
      • 권호사항
      • 발행연도

        2012년

      • 작성언어

        eng

      • 주제어
      • Print ISSN

        1938-5862

      • Online ISSN

        1938-6737

      • 자료형태

        학술저널

      • 원정보자원

        ECS TRANSACTIONS

      • 수록면

        157-170   [※수록면이 p5 이하이면, Review, Columns, Editor's Note, Abstract 등일 경우가 있습니다.]

      • 국제 표준도서번호

        9781623320089 (Hardcover)

      • 회의자료명

        SiGe, Ge and related compounds; materials, processing, and devices

      • 회의명

        Symposium; 5th

      • 회의장소

        Honolulu, HI

      • 회의날짜

        2012; Oct

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